Ab-initio based comparitive study of In incorporation and surface segregation 
on III- and N-face {0001} InGaN surfaces

Duff, A.; Lymperakis, L.; Neugebauer, J.

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Ab-initio based comparitive study of In incorporation and surface segregation on III- and N-face {0001} InGaN surfaces

Duff, A., Lymperakis, L., & Neugebauer, J. (2011). Ab-initio based comparitive study of In incorporation and surface segregation on III- and N-face {0001} InGaN surfaces. Poster presented at SINOPLE mid-term meeting, Berlin, Germany.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-2F51-7 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0002-9252-C

資料種別: ポスター

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作成者:
Duff, A.¹, 著者
Lymperakis, L.¹, 著者
Neugebauer, J.², 著者

所属:
1Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863344
2Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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言語: eng - English

日付: 作成: 2011-10

出版の状態: 不明

ページ: -

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識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 581695

学位: -

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