EPR parameters of the dangling bond defect in crystalline and amorphous 
silicon: A DFT-study

Pfanner, G.; Freysoldt, C.; Neugebauer, J.

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EPR parameters of the dangling bond defect in crystalline and amorphous silicon: A DFT-study

Pfanner, G., Freysoldt, C., & Neugebauer, J. (2011). EPR parameters of the dangling bond defect in crystalline and amorphous silicon: A DFT-study. Poster presented at Euromat 2011, Montpellier, France.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-2FE7-A 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0002-9246-A

資料種別: ポスター

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作成者:
Pfanner, G.¹, 著者
Freysoldt, C.¹, 著者
Neugebauer, J.², 著者

所属:
1Defect Chemistry and Spectroscopy, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863342
2Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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言語: eng - English

日付: 作成: 2011-09-12

出版の状態: 不明

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識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 575367

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