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  Growth process, characterization, and modeling of electronic properties of coupled InAsSbP nanostructures

Marquardt, O., Hickel, T., Neugebauer, J., Gambaryan, K. M., & Aroutiounian, V. M. (2011). Growth process, characterization, and modeling of electronic properties of coupled InAsSbP nanostructures. Journal of Applied Physics, 110(4), 043708-1-043708-6. doi:10.1063/1.3624621.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-3078-0 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-307A-C
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Marquardt, O.1, Autor           
Hickel, T.2, Autor           
Neugebauer, J.3, Autor           
Gambaryan, K. M., Autor
Aroutiounian, V. M., Autor
Affiliations:
1External Organizations, ou_persistent22              
2Computational Phase Studies, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863341              
3Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2011-08-22
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 581726
DOI: 10.1063/1.3624621
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 110 (4) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 043708-1 - 043708-6 Identifikator: -