Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
  A comparison of atomistic and continuum theoretical approaches to determine electronic properties of GaN/AlN quantum dots

Marquardt, O., Mourad, D., Schulz, S., Hickel, T., Czycholl, G., & Neugebauer, J. (2008). A comparison of atomistic and continuum theoretical approaches to determine electronic properties of GaN/AlN quantum dots. Physical Review B, 78: 235302.

Item is

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Marquardt, O.1, Autor           
Mourad, D., Autor
Schulz, S.2, Autor           
Hickel, T.1, Autor           
Czycholl, G., Autor
Neugebauer, J.3, Autor           
Affiliations:
1Computational Phase Studies, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863341              
2Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863381              
3Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

einblenden:

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 2008-12-01
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 377770
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Physical Review B
  Alternativer Titel : Phys. Rev. B.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 78 Artikelnummer: 235302 Start- / Endseite: - Identifikator: -