A Theoretical Study of Copper Contaminated Dislocations in Silicon

Fujita, N.; Jones, R.; Öberg, S.; Briddon, P. R.; Blumenau, A. T.

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A Theoretical Study of Copper Contaminated Dislocations in Silicon

Fujita, N., Jones, R., Öberg, S., Briddon, P. R., & Blumenau, A. T. (2008). A Theoretical Study of Copper Contaminated Dislocations in Silicon. Solid State Phenomena, 131-133, 259-264.

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-4DD0-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-4DD2-0

Genre: Zeitschriftenartikel

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Urheber:
Fujita, N., Autor
Jones, R., Autor
Öberg, S., Autor
Briddon, P. R., Autor
Blumenau, A. T.¹, Autor

Affiliations:
1Atomistic Modelling in Interface Science, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863351