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  Theoretical Aspects on the Formation of the Tri-interstitial Nitrogen Defect in Silicon

Fujita, N., Jones, R., Eberlein, T. A. G., Öberg, S., & Briddon, P. R. (2008). Theoretical Aspects on the Formation of the Tri-interstitial Nitrogen Defect in Silicon. Solid State Phenomena, 131-133, 265-269.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-4DD4-C Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-4DD6-8
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Fujita, N.1, Autor
Jones, R., Autor
Eberlein, T. A. G.1, Autor
Öberg, S., Autor
Briddon, P. R., Autor
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2008
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 379047
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Solid State Phenomena
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 131-133 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 265 - 269 Identifikator: -