Ab-initio study of compositional anti-correlation of In and N in InGaAsN alloys

Abu-Farsakh, H.; Neugebauer, J.; Albrecht, M.

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Ab-initio study of compositional anti-correlation of In and N in InGaAsN alloys

Abu-Farsakh, H., Neugebauer, J., & Albrecht, M. (2007). Ab-initio study of compositional anti-correlation of In and N in InGaAsN alloys. Poster presented at The 7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, NV, USA.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5054-F 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0002-91B7-B

資料種別: ポスター

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作成者:
Abu-Farsakh, H.¹, 著者
Neugebauer, J.¹, 著者
Albrecht, M., 著者

所属:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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言語: eng - English

日付: 作成: 2007-09

出版の状態: 不明

ページ: -

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識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 319953

学位: -

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