Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht
  Incorporation of N at GaAs and InAs surfaces: An ab-initio study

Abu-Farsakh, H., & Neugebauer, J. (2006). Incorporation of N at GaAs and InAs surfaces: An ab-initio study. Talk presented at Technische Universität Berlin. Berlin, Germany. 2006-04-12.

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-59EC-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-59EE-4
Genre: Vortrag

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Abu-Farsakh, H.1, Autor           
Neugebauer, J.1, Autor           
Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

einblenden:

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum:
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 289362
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:
ausblenden:
Titel: Technische Universität Berlin
Veranstaltungsort: Berlin, Germany
Start-/Enddatum: 2006-04-12
Eingeladen: Ja

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle

einblenden: