Theory of Dislocations in SiC: The Effect of Charge on Kink Migration

Eberlein, T.A.G.; Jones, R.; Blumenau, A. T.

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Theory of Dislocations in SiC: The Effect of Charge on Kink Migration

Eberlein, T., Jones, R., & Blumenau, A. T. (2006). Theory of Dislocations in SiC: The Effect of Charge on Kink Migration. Materials Science Forum, 321, 527-529.

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5BAC-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5BAE-4

Genre: Konferenzbeitrag

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Urheber:
Eberlein, T.A.G., Autor
Jones, R., Autor
Blumenau, A. T.¹, Autor

Affiliations:
1Atomistic Modelling in Interface Science, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863351

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English

Datum: Erschienen: 2006

Publikationsstatus: Erschienen

Seiten: -

Ort, Verlag, Ausgabe: -

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: -

Identifikatoren: eDoc: 286388

Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

Veranstaltungsort: Pittsburgh, PA, USA

Start-/Enddatum: 2005-09-18 - 2005-09-23

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science Forum

Alternativer Titel : Mater. Sci. Forum

Genre der Quelle: Zeitschrift

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Ort, Verlag, Ausgabe: -

Seiten: - Band / Heft: 321 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 527 - 529 Identifikator: -

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