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  Theory of Dislocations in SiC: The Effect of Charge on Kink Migration

Eberlein, T., Jones, R., & Blumenau, A. T. (2006). Theory of Dislocations in SiC: The Effect of Charge on Kink Migration. Materials Science Forum, 321, 527-529.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5BAC-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5BAE-4
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Eberlein, T.A.G., Autor
Jones, R., Autor
Blumenau, A. T.1, Autor           
Affiliations:
1Atomistic Modelling in Interface Science, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863351              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2006
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 286388
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Veranstaltungsort: Pittsburgh, PA, USA
Start-/Enddatum: 2005-09-18 - 2005-09-23

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science Forum
  Alternativer Titel : Mater. Sci. Forum
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 321 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 527 - 529 Identifikator: -