The Bandgaps of GaN and InN in Zinc-blende and Wurtzite Phase: DFT Calculations 
Using the Exact Exchange (EXX) Functional

Wahn, M.; Neugebauer, J.

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The Bandgaps of GaN and InN in Zinc-blende and Wurtzite Phase: DFT Calculations Using the Exact Exchange (EXX) Functional

Wahn, M., & Neugebauer, J. (2005). The Bandgaps of GaN and InN in Zinc-blende and Wurtzite Phase: DFT Calculations Using the Exact Exchange (EXX) Functional. Talk presented at Workshop Forschergruppe Bremen. Bad Bederkesa, Germany. 2005-11-03.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5D53-9 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5D55-5

資料種別: 講演

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Wahn, M.¹, 著者
Neugebauer, J.¹, 著者

所属:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337

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言語: eng - English

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出版の状態: 不明

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識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 289337

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