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  The Bandgaps of GaN and InN in Zinc-blende and Wurtzite Phase: DFT Calculations Using the Exact Exchange (EXX) Functional

Wahn, M., & Neugebauer, J. (2005). The Bandgaps of GaN and InN in Zinc-blende and Wurtzite Phase: DFT Calculations Using the Exact Exchange (EXX) Functional. Talk presented at Workshop Forschergruppe Bremen. Bad Bederkesa, Germany. 2005-11-03.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5D53-9 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-5D55-5
Genre: Vortrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Wahn, M.1, Autor           
Neugebauer, J.1, Autor           
Affiliations:
1Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum:
 Publikationsstatus: Keine Angabe
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 289337
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Workshop Forschergruppe Bremen
Veranstaltungsort: Bad Bederkesa, Germany
Start-/Enddatum: 2005-11-03

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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