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  Strongly reduced band gap in a correlated insulator in close proximity to a metal

Hesper, R., Tjeng, L. H., & Sawatzky, G. A. (1997). Strongly reduced band gap in a correlated insulator in close proximity to a metal. EPL, 40(2), 177-182. doi:10.1209/epl/i1997-00442-2.

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Urheber

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 Urheber:
Hesper, R.1, Autor
Tjeng, L. H.2, Autor           
Sawatzky, G. A.1, Autor
Affiliations:
1external, ou_persistent22              
2External Organizations, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: Using a combination of photoelectron and inverse photoelectron spectroscopy, we show that the band gap in a monolayer of C-60 on a Ag surface is strongly reduced from the solid C-60 surface value. We argue that this is a result of the reduction of the on-site molecular Coulomb interaction due to the influence of image charges in the metal substrate. This result suggests that the physical properties of correlated insulators and semiconductors will be strongly modified if prepared in ultra thin form on metal substrates or sandwiched between metal layers.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 1997-10-15
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: A1997YC08500012
DOI: 10.1209/epl/i1997-00442-2
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: EPL
  Andere : Europhysics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 40 (2) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 177 - 182 Identifikator: Anderer: 0295-5075
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/0295-5075