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  Enhancing the electrochemical and electronic performance of CVD-grown graphene by minimizing trace metal impurities.

Iost, R. M., Crespilho, F. N., Zuccaro, L., Yu, H. K., Wodtke, A. M., Kern, K., & Balasubramanian, K. (2014). Enhancing the electrochemical and electronic performance of CVD-grown graphene by minimizing trace metal impurities. ChemElectroChem, 1(12), 2070-2074. doi:10.1002/celc.201402325.

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基本情報

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資料種別: 学術論文

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2081716.pdf (出版社版), 2MB
 
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2081716.pdf
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application/pdf
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-
著作権情報:
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CCライセンス:
-
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2081716_Suppl.pdf (付録資料), 2MB
ファイルのパーマリンク:
https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0024-68C9-1
ファイル名:
2081716_Suppl.pdf
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作成者

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 作成者:
Iost, R. M., 著者
Crespilho, F. N., 著者
Zuccaro, L., 著者
Yu, H. K.1, 著者           
Wodtke, A. M.1, 著者           
Kern, K., 著者
Balasubramanian, K., 著者
所属:
1Department of Dynamics at Surfaces, MPI for Biophysical Chemistry, Max Planck Society, ou_578600              

内容説明

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キーワード: doping; electrocatalytic activity; mobility; purification; scattering
 要旨: The presence of unwanted impurities in graphene is known to have a significant impact on its physical and chemical properties. Similar to carbon nanotubes, any trace metals present in graphene will affect the electrocatalytic properties of the material. Here, we show by direct electroanalysis that traces of copper still remain in transferred CVD (chemical vapor deposition)-grown graphene (even after the usual copper etching process) and strongly influence its electrochemical properties. Subsequently, we use a real-time electrochemical etching procedure to remove more than 90 % of the trace metal impurities, with a clear improvement in both the electrochemical and electronic-transport properties of monolayer graphene.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2014-10-212014-12-11
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子(DOI, ISBNなど): DOI: 10.1002/celc.201402325
 学位: -

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訴訟

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出版物 1

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出版物名: ChemElectroChem
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 1 (12) 通巻号: - 開始・終了ページ: 2070 - 2074 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): -