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  Interface structure and chemistry of GaN on Ge(111)

Zhang, S., Zhang, Y., Cui, Y., Freysoldt, C., Neugebauer, J., Lieten, R. R., et al. (2013). Interface structure and chemistry of GaN on Ge(111). Physical Review Letters, 111(25): 256101. doi:10.1103/PhysRevLett.111.256101.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Zhang, Siyuan1, Autor           
Zhang, Yucheng1, 2, Autor           
Cui, Ying3, Autor           
Freysoldt, Christoph3, Autor           
Neugebauer, Jörg4, Autor           
Lieten, Ruben R.5, Autor           
Barnard, Jonathan S.1, Autor           
Humphreys, Colin J.1, Autor           
Affiliations:
1Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, CB3 0FS Cambridge, UK, ou_persistent22              
2Electron Microscopy Center, EMPA, Dübendorf CH-8600, Switzerland, ou_persistent22              
3Defect Chemistry and Spectroscopy, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863342              
4Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              
5IMEC, KU Leuven, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium, ou_persistent22              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2013-08-312013-12-16
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1103/PhysRevLett.111.256101
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review Letters
  Kurztitel : Phys. Rev. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 111 (25) Artikelnummer: 256101 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0031-9007
DOI: 10.1103/PhysRevLett.111.256101
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925433406_1