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  Die geometrische und elektronische Struktur epitaktisch gewachsener GaAs{111}-, {113}- und {115}-Oberflächen

Setzer, C. (1997). Die geometrische und elektronische Struktur epitaktisch gewachsener GaAs{111}-, {113}- und {115}-Oberflächen. PhD Thesis, Technische Universität, Berlin.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0024-A980-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0024-A981-5
Genre: Hochschulschrift

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Setzer, Carsten1, Autor           
Affiliations:
1Physical Chemistry, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634546              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): deu - German
 Datum: 1997
 Publikationsstatus: Angenommen
 Seiten: 118
 Ort, Verlag, Ausgabe: Berlin : Technische Universität
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: Doktorarbeit

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Die geometrische und elektronische Struktur epitaktisch gewachsener GaAs{111}-, {113}- und {115}-Oberflächen
Genre der Quelle: Buch
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Berlin : Wissenschaft und Technik Verlag
Seiten: 118 Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: ISBN: 3-89685-455-0