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  Decoupling the Graphene Buffer Layer from SiC(0001) via Interface Oxidation

Ostler, M., Koch, R. J., Speck, F., Fromm, F., Vita, H., Hundhausen, M., et al. (2012). Decoupling the Graphene Buffer Layer from SiC(0001) via Interface Oxidation. Materials Science Forum, 717-720, 649-652. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.649.

Item is

Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel

Dateien

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:
Ostler-2012-Decoupling the Graphene Buffer Layer.pdf (beliebiger Volltext), 2MB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
Ostler-2012-Decoupling the Graphene Buffer Layer.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
2012
Copyright Info:
TTP
Lizenz:
-
:
2088851.pdf (Verlagsvertrag), 142KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
2088851.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Privat
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Ostler, Markus1, Autor
Koch, Roland J.1, Autor
Speck, Florian1, Autor
Fromm, Felix1, Autor
Vita, Hendrik2, Autor           
Hundhausen, Martin1, Autor
Horn, Karsten2, Autor           
Seyller, Thomas1, Autor
Affiliations:
1FAU Erlangen-Nürnberg, Technische Physik, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen, Germany, ou_persistent22              
2Physical Chemistry, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634546              

Inhalt

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Schlagwörter: ARPES, Graphen, Intercalation, Oxidation, Raman Spectroscopy, Si-Face, XPS
 Zusammenfassung: Epitaxial graphene (EG) grown on SiC(0001) resides on the so-called buffer layer. This carbon rich (6√3×6√3)R30° reconstruction is covalently bound to the topmost silicon atoms of the SiC. Decoupling the graphene buffer layer from the SiC interface is a well studied topic since successful intercalation has been shown for hydrogen [1-3]. Recently, intercalation was also shown for oxygen [4, 5]. We present ARPES, XPS and Raman spectroscopy studies to determine the quality of oxygen intercalated buffer layer samples in terms of decoupling and integrity of the transformed graphene layer. The decoupling effect is demonstrated by ARPES measurements showing a graphene-like π band. XPS shows whether the oxidation takes place in the buffer layer or at the interface. Raman spectroscopy is well suited to investigate oxygen induced defects in graphene-like material.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012-05-142012
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 4
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science Forum
  Andere : Mater. Sci. Forum
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Aedermannsdorf, Switzerland : Trans Tech Publications
Seiten: - Band / Heft: 717-720 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 649 - 652 Identifikator: ISSN: 0255-5476
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954928550320