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  Influence of hydrogen on the structure and stability of ultra-thin ZnO on metal substrates

Bieniek, B., Hofmann, O. T., & Rinke, P. (2015). Influence of hydrogen on the structure and stability of ultra-thin ZnO on metal substrates. Applied Physics Letters, 106(13):. doi:10.1063/1.4917015.

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基本情報

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資料種別: 学術論文

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:
bieniek_paper_ZnO_revised.pdf (全文テキスト(全般)), 398KB
ファイルのパーマリンク:
https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0027-765C-2
ファイル名:
bieniek_paper_ZnO_revised.pdf
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-
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公開
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf / [MD5]
技術的なメタデータ:
著作権日付:
2015
著作権情報:
AIP
CCライセンス:
-
:
copyright_e_form__bieniek_dmglhj.pdf (著作権譲渡合意書), 303KB
 
ファイルのパーマリンク:
-
ファイル名:
copyright_e_form__bieniek_dmglhj.pdf
説明:
-
OA-Status:
閲覧制限:
非公開
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf
技術的なメタデータ:
著作権日付:
-
著作権情報:
-
CCライセンス:
-

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作成者

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 作成者:
Bieniek, Björn1, 著者           
Hofmann, Oliver T.1, 2, 著者           
Rinke, Patrick1, 3, 著者           
所属:
1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547              
2Institute of Solid State Physics, Graz University of Technology, ou_persistent22              
3School of Science, Aalto University, FI-00076 Aalto, Finland, ou_persistent22              

内容説明

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キーワード: Zinc oxide films II-VI semiconductors Metal surfaces Surface structure Crystal structure
 要旨: We investigate the atomic and electronic structure of ultra-thin ZnO films (1 to 4 layers) on the (111) surfaces of Ag, Cu, Pd, Pt, Ni, and Rh by means of density-functional theory. The ZnO monolayer is found to adopt an α-BN structure on the metal substrates with coincidence structures in good agreement with experiment. Thicker ZnO layers change into a wurtzite structure. The films exhibit a strong corrugation, which can be smoothed by hydrogen (H) adsorption. An H over-layer with 50% coverage is formed at chemical potentials that range from low to ultra-high vacuum H2 pressures. For the Ag substrate, both α-BN and wurtzite ZnO films are accessible in this pressure range, while for Cu, Pd, Pt, Rh, and Ni wurtzite films are favored. The surface structure and the density of states of these H passivated ZnO thin films agree well with those of the bulk ZnO(0001¯)−2×1−H surface.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2015-02-132015-03-262015-04-032015-03-30
 出版の状態: 出版
 ページ: 4
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子(DOI, ISBNなど): DOI: 10.1063/1.4917015
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Applied Physics Letters
  省略形 : Appl. Phys. Lett.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: Melville, NY : American Institute of Physics
ページ: - 巻号: 106 (13) 通巻号: 131602 開始・終了ページ: - 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): その他: 0003-6951
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954922836223