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  Formation of a modulated void structure in heavy-ion-irradiated amorphous silicon

Fratzl, P., Klaumünzer, S., Rammensee, M., & Vogl, G. (1990). Formation of a modulated void structure in heavy-ion-irradiated amorphous silicon. Europhysics Letters, 11(6), 547-553. doi:10.1209/0295-5075/11/6/011.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-31D3-9 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0004-7406-3
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Fratzl, P.1, Autor           
Klaumünzer, S2, Autor
Rammensee, M2, Autor
Vogl, G2, Autor
Affiliations:
1External Organizations, ou_persistent22              
2external, ou_persistent22              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1990-03-15
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: A1990CV80000011
DOI: 10.1209/0295-5075/11/6/011
PMID: 0021
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Europhysics Letters
  Andere : EPL
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Bristol : IoPP
Seiten: - Band / Heft: 11 (6) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 547 - 553 Identifikator: Anderer: 0295-5075