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  Encapsulated Silicene: A Robust Large-Gap Topological Insulator

Kou, L., Ma, Y., Yan, B., Tan, X., Chen, C., & Smith, S. C. (2015). Encapsulated Silicene: A Robust Large-Gap Topological Insulator. ACS Applied Materials and Interfaces, 7(34), 19226-19233. doi:10.1021/acsami.5b05063.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0028-9270-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-1807-D
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Kou, Liangzhi1, Autor
Ma, Yandong1, Autor
Yan, Binghai2, Autor           
Tan, Xin, Autor
Chen, Changfeng1, Autor
Smith, Sean C.1, Autor
Affiliations:
1External Organizations, ou_persistent22              
2Binghai Yan, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863427              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2015-09-022015-09-02
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000360868700042
DOI: 10.1021/acsami.5b05063
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: ACS Applied Materials and Interfaces
  Kurztitel : ACS Appl. Mater. Interfaces
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Washington, DC : American Chemical Society
Seiten: - Band / Heft: 7 (34) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 19226 - 19233 Identifikator: ISSN: 1944-8244
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/1944-8244