Impurity-mediated early condensation of an atomic layer electronic crystal: 
oxygen-adsorbed In/Si(111)-(4×1)/(8×2)

Wippermann, Stefan Martin; Schmidt, Wolf Gero; Oh, Deok Mahn; Yeom, Han Woong

Impurity-mediated early condensation of an atomic layer electronic crystal: oxygen-adsorbed In/Si(111)-(4×1)/(8×2)

Wippermann, S. M., Schmidt, W. G., Oh, D. M., & Yeom, H. W. (2015). Impurity-mediated early condensation of an atomic layer electronic crystal: oxygen-adsorbed In/Si(111)-(4×1)/(8×2). Talk presented at DPG Spring Meeting 2015. Berlin, Germany. 2015-03-15 - 2015-03-20.

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資料種別: 講演

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Wippermann, Stefan Martin¹, 著者
Schmidt, Wolf Gero², 著者
Oh, Deok Mahn³, 著者
Yeom, Han Woong⁴, 著者

所属:
1Atomistic Modelling, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863350
2Lehrstuhl für Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33095 Paderborn, Germany, ou_persistent22
3Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, South Korea, ou_persistent22
4Department of Physics, Pohang University of Science and Techonlogy, 77 Cheongam-Ro, Pohang 790-784, South Korea, ou_persistent22

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言語: eng - English

日付: 作成: 2015-03

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