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  Transient Band Gap Enhancement by Photoexcitation of the Excitonic Insulator Ta2NiSe5

Mor, S. (2016). Transient Band Gap Enhancement by Photoexcitation of the Excitonic Insulator Ta2NiSe5. Talk presented at Department of Physics (AG Martin Weinelt), Freie Universität Berlin. Berlin, Germany. 2016-04-22.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002A-6CD2-0 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002C-256A-1
Genre: Vortrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Mor, Selene1, Autor           
Affiliations:
1Physical Chemistry, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634546              

Inhalt

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Details

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Veranstaltung

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Titel: Department of Physics (AG Martin Weinelt), Freie Universität Berlin
Veranstaltungsort: Berlin, Germany
Start-/Enddatum: 2016-04-22
Eingeladen: Ja

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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