Abklingprozesse der Infrarot-Luminiszenz an Störstellen in II/VI-Halbleitern

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Abklingprozesse der Infrarot-Luminiszenz an Störstellen in II/VI-Halbleitern

Renz, R. (1981). Abklingprozesse der Infrarot-Luminiszenz an Störstellen in II/VI-Halbleitern. PhD Thesis, Technische Universität, Berlin.

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002B-154F-4 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002C-DB50-0

Genre: Hochschulschrift

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Urheber:
Renz, Roman¹, Autor
Schulz, Hans-Joachim¹, Gutachter
Gumlich, Hans-Eckhart, Gutachter

Affiliations:
1Electron Microscopy, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_persistent22

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Sprache(n): deu - German

Datum: Angenommen: 1981-04-27

Publikationsstatus: Angenommen

Seiten: 102

Ort, Verlag, Ausgabe: Berlin : Technische Universität

Inhaltsverzeichnis: -

Art der Begutachtung: -

Identifikatoren: -

Art des Abschluß: Doktorarbeit

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