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  Role of Sub-Nanometer Dielectric Roughness on Microstructure and Charge Carrier Transport in alpha,omega-Dihexylsexithiophene Field-Effect Transistors

Li, M., Marszalek, T., Müllen, K., & Pisula, W. (2016). Role of Sub-Nanometer Dielectric Roughness on Microstructure and Charge Carrier Transport in alpha,omega-Dihexylsexithiophene Field-Effect Transistors. ACS Applied Materials and Interfaces, 8(25), 16200-16206. doi:10.1021/acsami.6b03233.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002B-221E-9 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002B-221F-7
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Li, Mengmeng1, 著者           
Marszalek, Tomasz1, 著者           
Müllen, Klaus1, 著者           
Pisula, Wojciech1, 著者           
所属:
1Dept. Müllen: Synthetic Chemistry, MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1800289              

内容説明

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資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2016
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1021/acsami.6b03233
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: ACS Applied Materials and Interfaces
  省略形 : ACS Appl. Mater. Interfaces
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: Washington, DC : American Chemical Society
ページ: - 巻号: 8 (25) 通巻号: - 開始・終了ページ: 16200 - 16206 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 1944-8244
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/1944-8244