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  Self-catalyzed, vertically aligned GaN rod-structures by metal-organic vapor phase epitaxy

Tessarek, C., & Christiansen, S. (2012). Self-catalyzed, vertically aligned GaN rod-structures by metal-organic vapor phase epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, 596-600.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-6947-C Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-6948-A
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Tessarek, Christian1, Autor           
Christiansen, Silke1, 2, Autor           
Affiliations:
1Micro- & Nanostructuring, Technology Development and Service Units, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society, ou_2364725              
2Christiansen Research Group, Research Groups, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society, ou_2364716              

Inhalt

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Schlagwörter: GROWTH; MOVPECrystallography; Physics; GaN; rods; growth; MOVPE;
 Zusammenfassung: This paper will discuss the influence of parameters such as temperature, V/III ratio, atmosphere and pressure on the vertical growth of GaN rod-structures on sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy. For all growth experiments a simple two step method is applied consisting of a nitridation step on the sapphire substrate and the growth of GaN. Vertically aligned rod-like structures were achieved with this mask-free and catalyst-free approach. The influence of the nitridation step on the formation process of the vertically rodstructures will be discussed. The results will give an insight into the formation of vertically aligned GaN structures which is an important step towards the understanding and control of self-assembled GaN rods and nanorods in metal-organic vapor phase epitaxy. (C) 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 5
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000306521600043
DOI: 10.1002/pssc.201100471
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
Veranstaltungsort: Glasgow, SCOTLAND
Start-/Enddatum: 2011-07-10 - 2011-07-15

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4
  Alternativer Titel : PHYS STATUS SOLIDI C
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: PAPPELALLEE 3, W-69469 WEINHEIM, GERMANY : WILEY-V C H VERLAG GMBH
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 596 - 600 Identifikator: ISSN: 1862-6351

Quelle 2

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Titel: Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics
  Alternativer Titel : PHYS STATUS SOLIDI C
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 9 (3-4) Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -