Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht
  Probing semiconductor gap states with resonant tunneling

Loth, S., Wenderoth, M., Winking, L., Ulbrich, R., Malzer, S., & Dohler, G. (2006). Probing semiconductor gap states with resonant tunneling. PHYSICAL REVIEW LETTERS, 96(6): 066403. doi:10.1103/PhysRevLett.96.066403.

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-6DAA-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-6DAB-1
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Loth, S1, Autor
Wenderoth, M1, Autor
Winking, L1, Autor
Ulbrich, RG1, Autor
Malzer, S2, Autor           
Dohler, GH2, Autor           
Affiliations:
1external, ou_persistent22              
2Max Planck Research Group, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society, ou_2364712              

Inhalt

einblenden:
ausblenden:
Schlagwörter: SPECTROSCOPYPhysics;
 Zusammenfassung: Tunneling transport through the depletion layer under a GaAs {110} surface is studied with a low temperature scanning tunneling microscope (STM). The observed negative differential conductivity is due to a resonant enhancement of the tunneling probability through the depletion layer mediated by individual shallow acceptors. The STM experiment probes, for appropriate bias voltages, evanescent states in the GaAs band gap. Energetically and spatially resolved spectra show that the pronounced anisotropic contrast pattern of shallow acceptors occurs exclusively for this specific transport channel. Our findings suggest that the complex band structure causes the observed anisotropies connected with the zinc blende symmetry.

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 2006
 Publikationsstatus: Online veröffentlicht
 Seiten: 4
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000235394100057
DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.066403
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: PHYSICAL REVIEW LETTERS
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: ONE PHYSICS ELLIPSE, COLLEGE PK, MD 20740-3844 USA : AMERICAN PHYSICAL SOC
Seiten: - Band / Heft: 96 (6) Artikelnummer: 066403 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0031-9007