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  Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel

Voss, R. (1979). Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel. PhD Thesis, Technische Universität, Berlin.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-182D-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-400E-9
Genre: Hochschulschrift

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Voss, Rainer1, Autor
Molière, Kurt1, Gutachter
Niedrig, Heinz, Gutachter
Affiliations:
1Fritz Haber Institute, Max Planck Society, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin, DE, ou_24021              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): deu - German
 Datum: 1979
 Publikationsstatus: Angenommen
 Seiten: 92
 Ort, Verlag, Ausgabe: Berlin : Technische Universität
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: Doktorarbeit

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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