Nanoscale Characterization of Carrier Dynamic and Surface Passivation in 
InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN Nanorods

Chen, Weijian; Wen, Xiaoming; Latzel, Michael; Heilmann, Martin; Yang, Jianfeng; Dai, Xi; Huang, Shujuan; Shrestha, Santosh; Patterson, Robert; Christiansen, Silke; Conibeert, Gavin

doi:10.1021/acsami.6b11675

Nanoscale Characterization of Carrier Dynamic and Surface Passivation in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN Nanorods

Chen, W., Wen, X., Latzel, M., Heilmann, M., Yang, J., Dai, X., Huang, S., Shrestha, S., Patterson, R., Christiansen, S., & Conibeert, G. (2016). Nanoscale Characterization of Carrier Dynamic and Surface Passivation in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN Nanorods. ACS Applied Materials & Interfaces, 8(46), 31887-31893. doi:10.1021/acsami.6b11675.

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資料種別: 学術論文

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Chen, Weijian¹, 著者
Wen, Xiaoming¹, 著者
Latzel, Michael², 著者
Heilmann, Martin², 著者
Yang, Jianfeng¹, 著者
Dai, Xi¹, 著者
Huang, Shujuan¹, 著者
Shrestha, Santosh¹, 著者
Patterson, Robert¹, 著者
Christiansen, Silke^{2, 3}, 著者
Conibeert, Gavin¹, 著者

所属:
1external, ou_persistent22
2Micro- & Nanostructuring, Technology Development and Service Units, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society, ou_2364725
3Christiansen Research Group, Research Groups, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society, ou_2364716

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日付: 出版: 2016

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識別子（DOI, ISBNなど）: ISI: 000388913900049
DOI: 10.1021/acsami.6b11675

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出版物名: ACS Applied Materials & Interfaces

種別: 学術雑誌

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ページ: - 巻号: 8 (46) 通巻号: - 開始・終了ページ: 31887 - 31893 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 1944-8244

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