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  Quantum tunnelling and charge accumulation in organic ferroelectric memory diodes

Ghittorelli, M., Lenz, T., Sharifi Dehsari, H., Zhao, D., Asadi, K., Blom, P. W. M., et al. (2017). Quantum tunnelling and charge accumulation in organic ferroelectric memory diodes. Nature Communications, 8: 15841. doi:10.1038/ncomms15841.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-7F85-4 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-7F86-2
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Ghittorelli, M., Autor
Lenz, Thomas1, Autor           
Sharifi Dehsari, Hamed2, Autor           
Zhao, Dong1, Autor           
Asadi, Kamal2, Autor           
Blom, Paul W. M.1, Autor           
Kovacs-Vajna, Z. M., Autor
de Leeuw, Dago M.1, Autor           
Torricelli, F., Autor
Affiliations:
1Dept. Blom: Molecular Electronics, MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1800284              
2Humboldt Research Group Asadi: Organic/Inorganic Hybrids, MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_2243638              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2017
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: DOI: 10.1038/ncomms15841
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Nature Communications
  Kurztitel : Nat. Commun.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: London : Nature Publishing Group
Seiten: - Band / Heft: 8 Artikelnummer: 15841 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 2041-1723
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/2041-1723