Ab Initio Modelling of Charge Carriers and Defects in the Bulk and at Surfaces 
of Doped MgO: Polarons, Charge Compensation, and Activation of Small Molecules

Levchenko, Sergey V.

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Ab Initio Modelling of Charge Carriers and Defects in the Bulk and at Surfaces of Doped MgO: Polarons, Charge Compensation, and Activation of Small Molecules

Levchenko, S. V. (2016). Ab Initio Modelling of Charge Carriers and Defects in the Bulk and at Surfaces of Doped MgO: Polarons, Charge Compensation, and Activation of Small Molecules. Talk presented at FHI-Workshop on Current Research Topics at the FHI. Potsdam, Germany. 2016-05-26 - 2016-05-27.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-CE78-D 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-CE79-B

資料種別: 講演

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Levchenko, Sergey V.¹, 著者

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1Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_634547

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