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  Trapping of D in SiC and damage due to implantation

Siegele, R., Withrow, S., Roth, J., & Scherzer, B. M. U. (1990). Trapping of D in SiC and damage due to implantation. Journal of Nuclear Materials, 176-177, 1010-1017. doi:10.1016/0022-3115(90)90183-N.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002E-8CDA-3 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0006-52D4-E
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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externe Referenz:
https://doi.org/10.1016/0022-3115(90)90183-N (Verlagsversion)
Beschreibung:
-
OA-Status:

Urheber

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 Urheber:
Siegele, R.1, Autor           
Withrow, S.P.2, Autor
Roth, J.1, Autor           
Scherzer, B. M. U.1, Autor           
Affiliations:
1Surface Science (OP), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856288              
2External Organizations, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: Konferenzbeitrag
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 1990
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1016/0022-3115(90)90183-N
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Nuclear Materials
  Untertitel : 9th International Conference on Plasma Surface Interactions in Controlled Fusion Devices (PSI 9), Bournemouth, 1990-05-21 to 1990-05-25
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Amsterdam : Elsevier B.V.
Seiten: - Band / Heft: 176-177 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1010 - 1017 Identifikator: ISSN: 0022-3115
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925416962