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  Microstructure analysis of silicon nanocrystals formed from silicon rich oxide with high excess silicon: Annealing and doping effects

Nomoto, K., Yang, T. C. J., Ceguerra, A. V., Zhang, T., Lin, Z., Breen, A. J., Wu, L., Puthen-Veettil, B., Jia, X., Conibeer, G. J., van Perez-Wurfl, I., & Ringer, S. P. (2017). Microstructure analysis of silicon nanocrystals formed from silicon rich oxide with high excess silicon: Annealing and doping effects. Journal of Applied Physics, 122(2):, pp. 1-9. doi:10.1063/1.4990983.

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基本情報

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資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Nomoto, Keita1, 2, 著者           
Yang, Terry Chien Jen2, 著者           
Ceguerra, Anna Vallarta3, 著者           
Zhang, Tian2, 著者           
Lin, Ziyun2, 著者           
Breen, Andrew J.4, 著者           
Wu, Liangcai2, 著者           
Puthen-Veettil, Binesh2, 著者           
Jia, Xuguang5, 著者           
Conibeer, Gavin J.2, 著者           
van Perez-Wurfl, I.2, 著者           
Ringer, Simon P.6, 著者           
所属:
1School of Aerospace, Mechanical and Mechatronic Engineering, University of Sydney, Sydney, NSW, Australia, persistent22              
2School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia, persistent22              
3Australian Centre for Microscopy and Microanalysis, School of Aerospace, Mechatronic and Mechanical Engineering, University of Sydney, NSW 2006, Australia, ou_persistent22              
4Atom Probe Tomography, Microstructure Physics and Alloy Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863384              
5School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovoltaic Science and Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou, Jiangsu, China, persistent22              
6Australian Institute for Nanoscale Science and Technology, and School of Aerospace Mechanical and Mechatronic Engineering, The University of Sydney, Australia, ou_persistent22              

内容説明

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資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2017-07-14
 出版の状態: 出版
 ページ: 9
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子(DOI, ISBNなど): DOI: 10.1063/1.4990983
 学位: -

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訴訟

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出版物 1

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出版物名: Journal of Applied Physics
  省略形 : J. Appl. Phys.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 122 (2) 通巻号: 025102 開始・終了ページ: 1 - 9 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): ISSN: 0021-8979
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/991042723401880