Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONEN
 Dieser Datensatz wurde verworfen!DetailsÜbersicht
  Mechanism of layer growth in microwave-PECVD silan plasmas - Experiment and simulation

Häberle, E., Mutzke, A., Schneider, R., & Stroth, U. (n.d.). Mechanism of layer growth in microwave-PECVD silan plasmas - Experiment and simulation. Nuclear Instruments and Methods in Physics B.

Item is

Basisdaten (Verworfen)

Datum des Verwerfens: 2018-03-21
Kommentar:
 Urheber:
Häberle, E.1
Mutzke, A.2           
Schneider, R.2, 3, 4, 5           
Stroth, U.6, 7           
Affiliations:
1Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart, Germany; Institut of Physics, Ernst-Moritz-Arndt University, Felix-Haussdorffstr. 1, 17491 Greifswald, Germany, ou_persistent22              
2Stellarator Theory (ST), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856287              
3Helmholtz Junior Research Group 'Computational Material Science' (Junior Research Group HFG-Greifswald), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856336              
4Tokamak Theory (TOK), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856309              
5Surface Science (OP), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856288              
6Experimental Plasma Physics 3 (E3), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856291              
7Plasma Edge and Wall (E2M), Max Planck Institute for Plasma Physics, Max Planck Society, ou_1856327              
 Datum:
Dateien: 0 Dateien
Externe Referenzen: 0 ext. Referenzen
Versions ID: item_2538263_1
Status des Datensatzes: Verworfen
Name des Kontextes: Import Context of the Max Planck Institute for Plasma Physics, Zugehörig zu: Max Planck Institute for Plasma Physics