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  All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics

Rashidi, M., Vine, W., Burgess, J. A. J., Taucer, M., Achal, R., Pitters, J. L., Loth, S., & Wolkow, R. A. (2018). All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics. Journal of Visualized Experiments, 131:. doi:10.3791/56861.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-A752-6 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0006-D3CA-8
資料種別: 学術論文

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:
1706.08906.pdf (プレプリント), 966KB
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ファイルのパーマリンク:
https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0002-502F-0
ファイル名:
1706.08906.pdf
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Downloaded from arxiv.org: 2018-10-05
OA-Status:
閲覧制限:
公開
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf / [MD5]
技術的なメタデータ:
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著作権日付:
2017
著作権情報:
© the Author(s)
CCライセンス:
https://arxiv.org/help/license

関連URL

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URL:
https://dx.doi.org/10.3791/56861 (出版社版)
説明:
-
OA-Status:
URL:
https://arxiv.org/abs/1706.08906 (プレプリント)
説明:
-
OA-Status:

作成者

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 作成者:
Rashidi, M.1, 2, 著者
Vine, W.1, 著者
Burgess, J. A. J.3, 4, 5, 著者           
Taucer, M.1, 2, 6, 著者
Achal, R.1, 著者
Pitters, J. L.2, 著者
Loth, S.3, 4, 著者           
Wolkow, R. A.1, 2, 著者
所属:
1Department of Physics, University of Alberta, ou_persistent22              
2National Institute for Nanotechnology, National Research Council of Canada, Edmonton, ou_persistent22              
3Dynamics of Nanoelectronic Systems, Independent Research Groups, Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter, Max Planck Society, ou_1938290              
4Max Planck Institute for Solid State Research, ou_persistent22              
5Department of Physics and Astronomy, University of Manitoba, ou_persistent22              
6Joint Attosecond Science Laboratory, University of Ottawa, ou_persistent22              

内容説明

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キーワード: -
 要旨: The miniaturization of semiconductor devices to scales where small numbers of dopants can control device properties requires the development of new techniques capable of characterizing their dynamics. Investigating single dopants requires sub-nanometer spatial resolution, which motivates the use of scanning tunneling microscopy (STM). However, conventional STM is limited to millisecond temporal resolution. Several methods have been developed to overcome this shortcoming, including all-electronic time-resolved STM, which is used in this study to examine dopant dynamics in silicon with nanosecond resolution. The methods presented here are widely accessible and allow for local measurement of a wide variety of dynamics at the atomic scale. A novel time-resolved scanning tunneling spectroscopy technique is presented and used to efficiently search for dynamics.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2018-01
 出版の状態: オンラインで出版済み
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.3791/56861
arXiv: 1706.08906
 学位: -

関連イベント

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訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Journal of Visualized Experiments
  その他 : Journal of Visualized Experiments: JoVE
  省略形 : J. Vis. Exp.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: Rockville Pike, Bethesda MD : JoVE
ページ: - 巻号: 131 通巻号: e56861 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 1940-087X
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/1940087X