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  Formation and characterization of self-assembled monolayers of octadecyltrimethoxysilane on chromium: application in low energy electron lithography

Hild, R., David, C., Müller, H., Völkel, B., Kayser, D., & Grunze, M. (1998). Formation and characterization of self-assembled monolayers of octadecyltrimethoxysilane on chromium: application in low energy electron lithography. Langmuir, 14(2), 342-346. doi:https://doi.org/.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-B4F1-3 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-B4F2-2
資料種別: 学術論文

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:
Langmuir_14_1998_342.pdf (全文テキスト（全般）), 86KB
 
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-
ファイル名:
Langmuir_14_1998_342.pdf
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-
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制限付き (Max Planck Institute for Medical Research, MHMF; )
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf
技術的なメタデータ:
著作権日付:
-
著作権情報:
-
CCライセンス:
-

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URL:
https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/la970438l (全文テキスト（全般）)
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https://doi.org/10.1021/la970438l (全文テキスト（全般）)
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作成者

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 作成者:
Hild, R., 著者
David, C., 著者
Müller, H.U., 著者
Völkel, B., 著者
Kayser, D.R., 著者
Grunze, M.1, 著者           
所属:
1Cellular Biophysics, Max Planck Institute for Medical Research, Max Planck Society, ou_2364731              

内容説明

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キーワード: -
 要旨: In this article we describe the preparation and identification of an organosilane self-assembled monolayer (octadecyltrimethoxysilane:  OTMS) on chromium oxide. The formation of the OTMS monolayer was investigated by X-ray photoelectron (XPS) spectroscopy and water contact angle measurements. Near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy was applied in order to determine the tilt angle of the alkyl chains in the monolayer. The degree of hydration of the chromium oxide surface was found to greatly influence the quality of the monolayer. Our work focuses on the suitability of OTMS/Cr for lithographic patterning with low-energy electrons. In addition to the sensitivity and selectivity of the SAM system, its contrast γ was determined by measuring the gradation curve of OTMS on a 20 nm thick chromium layer using an alkaline hexacyanoferrat solution as an etchant. The contrast was found to be γ ≈ 1, which is comparable to those of conventional electron resists. The structured chromium layer was used as a mask for a reactive ion etch (RIE) process to pattern a silicon substrate.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 1997-10-131997-04-281997-10-131998-01-011998
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: https://doi.org/
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Langmuir
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: Columbus, OH : American Chemical Society
ページ: - 巻号: 14 (2) 通巻号: - 開始・終了ページ: 342 - 346 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0743-7463
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925541194