Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht
  Metastable-atom-activated growth of an ultra-thin carbonaceous resist for reactive ion etching of SiO2 and Si3N4

Thywissen, J., Johnson, K., Dekker, N., Prentiss, M., Wong, S., Weiss, K., et al. (1998). Metastable-atom-activated growth of an ultra-thin carbonaceous resist for reactive ion etching of SiO2 and Si3N4. Journal of Vacuum Science and Technology B, 16(3), 1155-1160. doi:10.1116/1.590026.

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-B6AD-F Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-B6AE-E
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

einblenden:
ausblenden:
externe Referenz:
http://avs.scitation.org/doi/pdf/10.1116/1.590026 (beliebiger Volltext)
Beschreibung:
-
OA-Status:
externe Referenz:
https://doi.org/10.1116/1.590026 (beliebiger Volltext)
Beschreibung:
-
OA-Status:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Thywissen, J.H., Autor
Johnson, K.S., Autor
Dekker, N.H., Autor
Prentiss, M., Autor
Wong, S.S., Autor
Weiss, K., Autor
Grunze, M.1, Autor           
Affiliations:
1Cellular Biophysics, Max Planck Institute for Medical Research, Max Planck Society, ou_2364731              

Inhalt

einblenden:
ausblenden:
Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: A thin carbonaceous resist was grown by exposing a substrate to a beam of neutral metastable argon atoms in the presence of siloxane vapor. X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy data show that the resist was composed primarily of carbon. Near edge x-ray absorption fine structure spectra of samples exposed to metastable atoms show that carbon double bonds were formed during exposure. The deposited material was used as a resist for reactive ion etching into SiO2 and Si3N4. Lines in SiO2 were fabricated with widths as small as 20 nm, aspect ratios >2:1, and sidewalls as steep as 7:1.

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 1997-10-221998-02-061998-06-091998
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 6
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1116/1.590026
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Journal of Vacuum Science and Technology B
  Andere : JVST B
  Andere : J. Vac. Sci. Techn. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York : Published by AVS through the American Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: 16 (3) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1155 - 1160 Identifikator: ISSN: 0734-2101
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954928495416