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  Ab-initio study of boron incorporation and compositional limits at GaN and AlN (0001) surfaces

Lymperakis, L. (2018). Ab-initio study of boron incorporation and compositional limits at GaN and AlN (0001) surfaces. AIP Advances, 8(6): 065301. doi:10.1063/1.5029339.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: http://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-E767-7 Versions-Permalink: http://hdl.handle.net/21.11116/0000-0001-E76A-4
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Lymperakis, Liverios1, Autor              
Affiliations:
1Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863344              

Inhalt

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Schlagwörter: Aluminum nitride; Boron; Calculations; Chemical beam epitaxy; Density functional theory; Gallium nitride; Metallorganic chemical vapor deposition; Molecular beam epitaxy; Organic chemicals; Organometallics; Solubility, A3. metal organic chemical vapor deposition (MOCVD); Ab initio study; B incorporation; Boron incorporations; Growth conditions; Re-hybridization; Solubility limits, III-V semiconductors
 Zusammenfassung: Density functional theory calculations are employed to investigate B incorporation at the GaN(0001) and AlN(0001) surfaces. It is found that under typical metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and metal rich molecular beam epitaxy (MBE) conditions, the maximum B contents at the surfaces are in the order of 3 for GaN and 15 for AlN. Under MBE N-rich growth conditions the calculations reveal a rehybridization enhanced solubility mechanism that dominates at the surface. This mechanism offers a promising route to kinetically stabilize B contents above the bulk solubility limit and as high as 25. © 2018 Author(s).

Details

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Sprache(n): eng - Englisch
 Datum: 2018-06-01
 Publikationsstatus: Im Druck veröffentlicht
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1063/1.5029339
BibTex Citekey: Lymperakis2018
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: AIP Advances
  Kurztitel : AIP Adv.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Melville, NY, USA : American Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: 8 (6) Artikelnummer: 065301 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 2158-3226
CoNE: /journals/resource/21583226