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  High-field magnetoresistance of graphite revised

Barzola-Quiquia, J., Esquinazi, P. D., Precker, C. E., Stiller, M., Zoraghi, M., Förster, T., et al. (2019). High-field magnetoresistance of graphite revised. Physical Review Materials, 3(5): 054603. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.054603.

Item is

 

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0003-B48A-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000C-DD44-F
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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externe Referenz:
https://arxiv.org/abs/1902.00405 (Preprint)
Beschreibung:
-
OA-Status:
Grün

Urheber

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 Urheber:
Barzola-Quiquia, José1, Autor
Esquinazi, Pablo D.1, Autor
Precker, Christian E.1, Autor
Stiller, Markus1, Autor
Zoraghi, Mahsa1, 2, Autor           
Förster, Tobias3, Autor
Herrmannsdörfer, Thomas3, Autor
Coniglio, William A.4, Autor
Affiliations:
1Division of Superconductivity and Magnetism, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, University of Leipzig, Germany, ou_persistent22              
2Department Neurophysics (Weiskopf), MPI for Human Cognitive and Brain Sciences, Max Planck Society, Leipzig, DE, ou_2205649              
3Hochfeld-Magnetlabor Dresden, Helmholtz Center Dresden-Rossendorf, Germany, ou_persistent22              
4National High Magnetic Field Laboratory (MagLab), Tallahassee, FL, USA, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: Magnetoresistance; Electronic phase transition; Granular superconductors; High field magnetoresistance; Highly oriented pyrolytic graphite; Internal interfaces; Lower temperatures; Stacking order
 Zusammenfassung: A detailed magnetoresistance (MR) study of bulk and microflake samples of highly oriented pyrolytic graphite in a broad temperature 240≳T≳1K and magnetic field μ0H≤62T range, reveals the existence of three independent phenomena, the contributions of which are observed at different temperatures and fields. The identification of the three phenomena was possible by studying the MR of samples with thickness of 25 μm to 23 nm. At temperatures T≳100K the MR is mainly given by the semiconducting stacking order regions. At lower temperatures the contribution of the internal interfaces of graphite to its MR is clearly observable. These interfaces are the origin of the commonly observed electronic phase transitions at fields 35≲μ0H≲55T at T≲10 K as well as a background MR in the whole field range that resembles the MR measured in granular superconductors.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2019-05-17
 Publikationsstatus: Online veröffentlicht
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.3.054603
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Projektname : -
Grant ID : 99999.013188/2013-05
Förderprogramm : -
Förderorganisation : Brazilian National Council for the Improvement of Higher Education (CAPES)
Projektname : Untersuchungen von Grenzflachen in Graphit bei sehr hohen Feldern
Grant ID : 57207627
Förderprogramm : -
Förderorganisation : Deutscher Akademischer Austauschdienst e.V.
Projektname : -
Grant ID : ES 86/29-1
Förderprogramm : -
Förderorganisation : German Research Foundation (DFG)
Projektname : Functionality of oxidic Interfaces / SFB 762
Grant ID : -
Förderprogramm : -
Förderorganisation : German Research Foundation (DFG)
Projektname : -
Grant ID : DMR-1157490
Förderprogramm : -
Förderorganisation : National Science Foundation Cooperative Agreement
Projektname : -
Grant ID : -
Förderprogramm : -
Förderorganisation : State of Florida
Projektname : -
Grant ID : -
Förderprogramm : -
Förderorganisation : Hochfeld-Magnetlabor Dresden (HDL), Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Quelle 1

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Titel: Physical Review Materials
  Kurztitel : Phys. Rev. Mat.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: College Park, MD : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: 3 (5) Artikelnummer: 054603 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 2475-9953
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/2475-9953