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  Thermal and Electronic Transport Properties of the Half-Heusler Phase ScNiSb

Synoradzki, K., Ciesielski, K., Veremchuk, I., Borrmann, H., Skokowski, P., Szymański, D., Grin, Y., & Kaczorowski, D. (2019). Thermal and Electronic Transport Properties of the Half-Heusler Phase ScNiSb. Materials, 12(10):, pp. 1-11. doi:10.3390/ma12101723.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0003-E09E-E 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0003-E0A7-3
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Synoradzki, Karol1, 著者
Ciesielski, Kamil1, 著者
Veremchuk, Igor2, 著者           
Borrmann, Horst3, 著者           
Skokowski, Przemysław1, 著者
Szymański, Damian1, 著者
Grin, Yuri4, 著者           
Kaczorowski, Dariusz1, 著者
所属:
1External Organizations, ou_persistent22              
2Igor Veremchuk, Chemical Metal Science, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863411              
3Horst Borrmann, Chemical Metal Science, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863410              
4Juri Grin, Chemical Metal Science, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863413              

内容説明

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キーワード: -
 要旨: Thermoelectric properties of the half-Heusler phase ScNiSb (space group F3m) were studied on a polycrystalline single-phase sample obtained by arc-melting and spark-plasma-sintering techniques. Measurements of the thermopower, electrical resistivity, and thermal conductivity were performed in the wide temperature range 2-950 K. The material appeared as a p-type conductor, with a fairly large, positive Seebeck coefficient of about 240 V K-1 near 450 K. Nevertheless, the measured electrical resistivity values were relatively high (83 m at 350 K), resulting in a rather small magnitude of the power factor (less than 1 x 10(-3) W m(-1) K-2) in the temperature range examined. Furthermore, the thermal conductivity was high, with a local minimum of about 6 W m(-1) K-1 occurring near 600 K. As a result, the dimensionless thermoelectric figure of merit showed a maximum of 0.1 at 810 K. This work suggests that ScNiSb could be a promising base compound for obtaining thermoelectric materials for energy conversion at high temperatures.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2019-05-272019-05-27
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子(DOI, ISBNなど): DOI: 10.3390/ma12101723
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Materials
  省略形 : Materials
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: Basel : MDPI
ページ: - 巻号: 12 (10) 通巻号: 1723 開始・終了ページ: 1 - 11 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): ISSN: 1996-1944
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/1996-1944