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  Si(5,5,12) - A Stable Surface With Very Large Unit Cell

Xing, Y., Ranke, W., & Hu, X. (1998). Si(5,5,12) - A Stable Surface With Very Large Unit Cell. Chinese Journal of Semiconductors, (4), 254-260. Retrieved from http://caod.oriprobe.com/articles/2054882/si_5_5_12____yi_ge_da_yuan_bao_de_wen_ding_biao_mian_.htm.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-6A88-9 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0007-6A95-A
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Xing, Yirong, 著者
Ranke, Wolfgang1, 著者           
Hu, Xiaoming, 著者
所属:
1Inorganic Chemistry, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_24023              

内容説明

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資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 1998-04
 出版の状態: 出版
 ページ: 7
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子（DOI, ISBNなど）: URI: http://caod.oriprobe.com/articles/2054882/si_5_5_12____yi_ge_da_yuan_bao_de_wen_ding_biao_mian_.htm
 学位: -

関連イベント

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訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Chinese Journal of Semiconductors
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: New York : Allerton Press
ページ: 7 巻号: (4) 通巻号: - 開始・終了ページ: 254 - 260 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0253-4177
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/110978978383149