MoS2 on topological insulator Bi2Te3 thin films: Activation of the basal plane for hydrogen reduction

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MoS₂ on topological insulator Bi₂Te₃ thin films: Activation of the basal plane for hydrogen reduction

Li, G., Huang, J., Yang, Q., Zhang, L., Mu, Q., Sun, Y., et al. (2021). MoS₂ on topological insulator Bi₂Te₃ thin films: Activation of the basal plane for hydrogen reduction. Journal of Energy Chemistry, 62, 516-522. doi:10.1016/j.jechem.2021.04.010.

Item is Verworfen

Basisdaten (Verworfen)

Datum des Verwerfens: 2021-09-22

Kommentar: Dublette

Urheber:
Li, Guowei¹
Huang, Jue²
Yang, Qun¹
Zhang, Liguo¹
Mu, Qingge¹
Sun, Yan¹
Parkin, Stuart²
Chang, Kai¹
Felser, Claudia¹

Affiliations:
1External Organizations, ou_persistent22
2Nano-Systems from Ions, Spins and Electrons, Max Planck Institute of Microstructure Physics, Max Planck Society, ou_3287476

Datum: Online veröffentlicht: 2021-04-22Erschienen: 2021-11

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Externe Referenzen: 1 ext. Referenz

Versions ID: item_3332375_1

Status des Datensatzes: Verworfen

Name des Kontextes: Publications of the MPI of Microstructure Physics, Zugehörig zu: Max Planck Institute of Microstructure Physics