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  Gold and silver Schottky barriers on ZnS(110)

Wolfframm, D., Evans, D. A., Neuhold, G., & Horn, K. (2000). Gold and silver Schottky barriers on ZnS(110). Journal of Applied Physics, 87(8), 3905-3911. doi:10.1063/1.372433.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0009-3EB4-7 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0009-3EB5-6
資料種別: 学術論文

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:
1.372433.pdf (出版社版), 400KB
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ファイルのパーマリンク:
https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0009-3EB6-5
ファイル名:
1.372433.pdf
説明:
-
OA-Status:
閲覧制限:
公開
MIMEタイプ / チェックサム:
application/pdf / [MD5]
技術的なメタデータ:
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著作権日付:
2000
著作権情報:
AIP
CCライセンス:
-

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作成者

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 作成者:
Wolfframm, D.1, 著者
Evans, D. A.2, 著者
Neuhold, Georg3, 著者           
Horn, Karsten3, 著者           
所属:
1Lehrstuhl Experimentalphysik II, Brandenburgische Technische Universität, Postfach 10 13 44, D-03013 Cottbus, Germany, ou_persistent22              
2Department of Physics, University of Wales, Aberystwyth, Ceredigion SY 23 3 BZ, United Kingdom, ou_persistent22              
3Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_24021              

内容説明

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キーワード: -
 要旨: The evolution of the Schottky barrier between Au and Ag metal films and ZnS(110) has been
studied using photoemission. Clean and well-ordered ZnS(110) surfaces were prepared by
molecular beam epitaxy on cleaved GaP(110) surfaces. Chemical reaction and/or intermixing
between the metal and substrate were not observed upon room temperature deposition. Substrate Zn 3d attenuation plots indicate that an initial layer-by-layer growth is followed by island growth at
higher depositions. The Schottky barrier heights were found to be ΦAuB=2.19 and ΦAuB=1.81 eV, indicating a considerable dependence on metal work function. This observation agrees well with
predictions of Schottky barrier heights based on the concept of metal-induced gap states and the
influence of charge transfer based on electronegativities, and discussed in the light of current concepts of Schottky barrier characteristics.

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 1999-08-262000-01-052000-04-15
 出版の状態: 出版
 ページ: 7
 出版情報: -
 目次: -
 査読: 査読あり
 識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1063/1.372433
 学位: -

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訴訟

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出版物 1

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出版物名: Journal of Applied Physics
  省略形 : J. Appl. Phys.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: New York, NY : AIP Publishing
ページ: 7 巻号: 87 (8) 通巻号: - 開始・終了ページ: 3905 - 3911 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0021-8979
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/991042723401880