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  Short-Channel Double-Gate FETs with Atomically Precise Graphene Nanoribbons

Mutlu, Z., Lin, Y., Barin, G. B., Zhang, Z., Pitner, G., Wang, S., et al. (2021). Short-Channel Double-Gate FETs with Atomically Precise Graphene Nanoribbons. In 2021 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM). New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers. Electron Devices Group. doi:10.1109/IEDM19574.2021.9720620.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000A-B611-5 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000A-B612-4
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Mutlu, Z., Autor
Lin, Y., Autor
Barin, G. B., Autor
Zhang, Z., Autor
Pitner, G., Autor
Wang, S., Autor
Darawish, R., Autor
Giovannantonio, M. Di, Autor
Wang, H., Autor
Cai, J., Autor
Passlack, M., Autor
Diaz, C. H., Autor
Narita, Akimitsu1, Autor           
Müllen, Klaus1, Autor           
Fischer, F. R., Autor
Bandaru, P., Autor
Kummel, A. C., Autor
Ruffieux, P., Autor
Fasel, R., Autor
Bokor, J., Autor
Affiliations:
1Dept. Müllen: Synthetic Chemistry, MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1800289              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2021
 Publikationsstatus: Online veröffentlicht
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: DOI: 10.1109/IEDM19574.2021.9720620
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Veranstaltungsort: San Francisco, CA
Start-/Enddatum: 2021-12-11 - 2021-12-16

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: 2021 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York, NY : Institute of Electrical and Electronics Engineers. Electron Devices Group
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: ISBN: 978-1-6654-2572-8

Quelle 2

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Titel: IEEE International Electron Devices Meeting
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York, NY : Institute of Electrical and Electronics Engineers. Electron Devices Group
Seiten: - Band / Heft: 2021 Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 2156-017X