Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht
  Vacancy-related color centers in two-dimensional silicon carbide monolayers

Mohseni, M., Sarsari, I. A., Karbasizadeh, S., Udvarhelyi, P., Hassanzada, Q., Ala-Nissila, T., et al. (in press). Vacancy-related color centers in two-dimensional silicon carbide monolayers. Physical Review Materials.

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000A-EBF0-E Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000F-219C-C
Genre: Zeitschriftenartikel

Dateien

einblenden: Dateien
ausblenden: Dateien
:
2208.09120.pdf (Preprint), 6MB
Öffnen   Speichern
Datei-Permalink:
https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000A-EBF2-C
Name:
2208.09120.pdf
Beschreibung:
File downloaded from arXiv at 2022-08-30 10:59
OA-Status:
Grün
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
Öffnen
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
-
Lizenz:
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Mohseni, M., Autor
Sarsari, I. Abdolhosseini, Autor
Karbasizadeh, S., Autor
Udvarhelyi, Peter, Autor
Hassanzada, Q.1, Autor           
Ala-Nissila, T., Autor
Gali, A., Autor
Affiliations:
1NOMAD, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, ou_3253022              

Inhalt

einblenden:
ausblenden:
Schlagwörter: Condensed Matter, Materials Science, cond-mat.mtrl-sci
 Zusammenfassung: We examine vacancy defects in two-dimensional silicon carbide (2D-SiC) using
density functional theory in order to explore their magneto-optical properties
and their potential in quantum technologies. The defects include the
silicon-vacancy (V$_{\text{Si}}$) and two antisite-vacancy pairs
(V$_{\text{C}}$-C$_{\text{Si}}$ and V$_{\text{Si}}$-C$_{\text{Si}}$). We
determine the characteristic hyperfine tensors and the fluorescence spectrum
that are the key fingerprints of silicon-vacancy-related paramagnetic color
centers in 2D-SiC and may be observed in electron paramagnetic resonance and
photoluminescence experiments. In particular, we show that the
V$_{\text{C}}$-C$_{\text{Si}}^-$ defect is promising candidate for a
single-photon quantum emitter and qubit.

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 2022-08-182024-04-03
 Publikationsstatus: Angenommen
 Seiten: 9 pages, 5 figures
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: arXiv: 2208.09120
URN: https://journals.aps.org/prmaterials/accepted/40078Z8dOc61ce0a22e02d760a8c41c08974d713f
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Physical Review Materials
  Kurztitel : Phys. Rev. Mater.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: College Park, MD : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 2475-9953
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/2475-9953