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  Atomic Structure of Non-Basal-Plane SiC Surfaces: Hydrogen Etching and Surface Phase Transformations

Soubatch, S., Lee, W. Y., Hetzel, M., Virojanadara, C., Coletti, C., Saddow, S. E., et al. (2006). Atomic Structure of Non-Basal-Plane SiC Surfaces: Hydrogen Etching and Surface Phase Transformations. In Materials Research Society Symposium Proceedings (pp. 271-282). Warrendale, PA, USA: Materials Research Society.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-FF6F-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-FF70-5
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Soubatch, S.1, Autor           
Lee, W. Y.1, Autor           
Hetzel, M.1, Autor           
Virojanadara, C.1, Autor           
Coletti, C.1, Autor           
Saddow, S. E., Autor
Starke, U.1, Autor           
Affiliations:
1Scientific Facility Interface Analysis (Ulrich Starke), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370498              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2006
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 313040
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Silicon Carbide 2006 - Materials, Processing and Devices
Veranstaltungsort: San Francisco, USA
Start-/Enddatum: 2006-04-17 - 2006-04-21

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Research Society Symposium Proceedings
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Warrendale, PA, USA : Materials Research Society
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 271 - 282 Identifikator: -