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  Universal flow diagram for the magnetoconductance in disordered GaAs layers

Murzin, S. S., Weiss, M., Jansen, A. G. M., & Eberl, K. (2002). Universal flow diagram for the magnetoconductance in disordered GaAs layers. Physical Review B, 66(23): 233314.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Murzin, S. S.1, Autor           
Weiss, M.1, Autor           
Jansen, A. G. M.1, Autor           
Eberl, K.2, Autor           
Affiliations:
1High Magnetic Field Laboratory, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3371774              
2Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370501              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: The temperature driven flow lines of the diagonal and Hall
magnetoconductance data (G(xx),G(xy)) are studied in heavily
Si-doped, disordered GaAs layers with different thicknesses.
The flow lines are quantitatively well described by a recent
universal scaling theory developed for the case of particle-
vortex duality symmetry. The separatrix G(xy)=0.5 (in units
e(2)/h) separates an insulating state from a quantum Hall-
effect (QHE) state. The merging into the insulator or the QHE
state at low temperatures happens along a semicircle separatrix
G(xx)(2)+(G(xy)-1/2)(2)=1/4, which is divided by an unstable
fixed point at (G(xx),G(xy))=(1/2,1/2).

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2002
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 7473
ISI: 000180279400027
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 66 (23) Artikelnummer: 233314 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 1098-0121