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  Fabrication of a single-electron transistor by current-controlled local oxidation of a two-dimensional electron system

Keyser, U. F., Schumacher, H. W., Zeitler, U., Haug, R. J., & Eberl, K. (2000). Fabrication of a single-electron transistor by current-controlled local oxidation of a two-dimensional electron system. Applied Physics Letters, 76, 457-459.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-F3A3-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-F3A4-6
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Keyser, U. F., Autor
Schumacher, H. W., Autor
Zeitler, U., Autor
Haug, R. J.1, Autor           
Eberl, K.2, Autor           
Affiliations:
1Abteilung v. Klitzing, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370504              
2Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370501              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2000
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 181565
Anderer: 27157
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 76 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 457 - 459 Identifikator: -