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  Electrons and defects in semiconductors.

Ashok, S., & Queisser, H.-J. (1998). Electrons and defects in semiconductors. In Defect and Impurity Engineered Semiconductors (pp. 289-300). Pittsburg: Materials Research Society.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-D75E-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-D75F-6
Genre: Buchkapitel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Ashok, S., Autor
Queisser, H.-J.1, Autor           
Affiliations:
1Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370502              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 1998
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 180360
Anderer: 4678
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Defect and Impurity Engineered Semiconductors
Genre der Quelle: Buch
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Pittsburg : Materials Research Society
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 289 - 300 Identifikator: -

Quelle 2

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Titel: Materials Research Society Symposium Proceedings 510
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -