Growth and characterization of epitaxial graphene on SiC induced by carbon 
evaporation

Al-Temimy, A.; Riedl, C.; Starke, U.

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Growth and characterization of epitaxial graphene on SiC induced by carbon evaporation

Al-Temimy, A., Riedl, C., & Starke, U. (2010). Growth and characterization of epitaxial graphene on SiC induced by carbon evaporation. Materials Science Forum, 645-648, 593-596.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-BC64-E 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-BC65-D

資料種別: 学術論文

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Al-Temimy, A., 著者
Riedl, C.¹, 著者
Starke, U.¹, 著者

所属:
1Scientific Facility Interface Analysis (Ulrich Starke), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370498

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言語: eng - English

日付: 出版: 2010

出版の状態: 出版

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査読: -

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 488971

学位: -

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出版物名: Materials Science Forum

種別: 学術雑誌

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ページ: - 巻号: 645-648 通巻号: - 開始・終了ページ: 593 - 596 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: -

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