Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht
  SiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening

Zhang, J. J., Stoffel, M., Rastelli, A., Schmidt, O. G., Jovanovic, V., Nanver, L. K., et al. (2007). SiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening. Applied Physics Letters, 91(17): 173115.

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-B685-E Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-000E-B686-D
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Zhang, J. J.1, Autor           
Stoffel, M.2, Autor           
Rastelli, A.1, 2, Autor           
Schmidt, O. G.1, 2, 3, 4, Autor           
Jovanovic, V., Autor
Nanver, L. K., Autor
Bauer, G., Autor
Affiliations:
1Former Scientific Facilities, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370501              
2Department Nanoscale Science (Klaus Kern), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370481              
3Scientific Facility Nanostructuring Lab (Jürgen Weis), Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370499              
4Abteilung v. Klitzing, Former Departments, Max Planck Institute for Solid State Research, Max Planck Society, ou_3370504              

Inhalt

einblenden:
ausblenden:
Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: The morphological evolution of both pits and SiGe islands on patterned Si (001) substrates is investigated. With increasing Si buffer layer thickness the patterned holes transform into multifaceted pits before evolving into inverted truncated pyramids. SiGe island formation and evolution are studied by systematically varying the Ge coverage and pit spacing and quantitative data on the influence of the pattern periodicity on the SiGe island volume are presented. The presence of pits allows the fabrication of uniform island arrays with any of their equilibrium shapes. (C) 2007 American Institute of Physics.

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 2007
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 338821
ISI: 000250468200094
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Applied Physics Letters
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 91 (17) Artikelnummer: 173115 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 0003-6951